maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1002-BP
Référence fabricant | GBJ1002-BP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBJ1002-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1002-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1002-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1002-BP-FT |
MD60S16M2-BP
Micro Commercial Co
MD200S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD250S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD100S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD130S16M5-BP
Micro Commercial Co
MD160S16M5-BP
Micro Commercial Co
MB354-BP
Micro Commercial Co
MB251D-BP
Micro Commercial Co
MB10S-TP
Micro Commercial Co
MB10M-BP
Micro Commercial Co
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel