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Référence fabricant | GB02SLT12-214 |
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Numéro de pièce future | FT-GB02SLT12-214 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GB02SLT12-214 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 1A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 131pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB02SLT12-214 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GB02SLT12-214-FT |
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH04G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH04S60CAKSA1
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IDH04SG60CXKSA1
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IDH05G65C5XKSA1
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IDH05S120AKSA1
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IDH05S60CAKSA1
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IDH05SG60CXKSA1
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IDH06G65C5XKSA1
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IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
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EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel