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Référence fabricant | GB01SLT12-214 |
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Numéro de pièce future | FT-GB01SLT12-214 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GB01SLT12-214 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 1A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMB (DO-214AA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB01SLT12-214 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GB01SLT12-214-FT |
IDH02G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH02SG120XKSA1
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IDH03G65C5XKSA1
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IDH04G65C5XKSA1
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IDH04S60CAKSA1
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IDH04SG60CXKSA1
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IDH05G65C5XKSA1
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IDH05S120AKSA1
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IDH05S60CAKSA1
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LCMXO2280E-3TN100I
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LFE5U-85F-6BG756I
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5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
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