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Référence fabricant | G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 |
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Numéro de pièce future | FT-G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G8JR |
G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de bobine | Non Latching |
Courant de bobine | - |
Tension de bobine | 12VDC |
Formulaire de contact | SPST-NC (1 Form B) |
Cote de contact (actuelle) | 50A |
Tension de commutation | 16VDC - Max |
Activer la tension (max) | 8 VDC |
Couper la tension (min) | 1 VDC |
Utiliser le temps | 20ms |
Temps de libération | 20ms |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Socketable |
Style de terminaison | Plug In |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G8JR-1B2T-FT01 DC12 BY OBI1-FT |
CB1VF-R-12V
Panasonic Electric Works
CB1VF-R-24V
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CP1AH-12V
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CP1H-N-12V
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2-1904025-5
TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
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Omron Electronics Inc-EMC Div
G8QW-2C4-05 DC12
Omron Electronics Inc-EMC Div
2-1904025-3
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V23134-A4052-X543
TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP1S20F672I7
Intel
10M16DCF484I7G
Intel
EP3C80U484C8
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC5VSX50T-3FFG665C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FGG676
Microsemi Corporation
5SGSMD3H2F35C2N
Intel