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Référence fabricant | G8JR-1A5T-R-DC12 |
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Numéro de pièce future | FT-G8JR-1A5T-R-DC12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G8JR |
G8JR-1A5T-R-DC12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de bobine | Non Latching |
Courant de bobine | - |
Tension de bobine | 12VDC |
Formulaire de contact | SPST-NO (1 Form A) |
Cote de contact (actuelle) | 50A |
Tension de commutation | 16VDC - Max |
Activer la tension (max) | 8 VDC |
Couper la tension (min) | 1 VDC |
Utiliser le temps | 20ms |
Temps de libération | 20ms |
Caractéristiques | Resistor |
Type de montage | Socketable |
Style de terminaison | Plug In |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8JR-1A5T-R-DC12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G8JR-1A5T-R-DC12-FT |
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AEV18012
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LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U256A7N
Intel
EP3C16E144A7N
Intel
5SGXMA3K1F35C1N
Intel
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6G
Intel
EP1S20F780I6
Intel