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Référence fabricant | G8HE-1C7T-R-DC12 |
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Numéro de pièce future | FT-G8HE-1C7T-R-DC12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G8HE |
G8HE-1C7T-R-DC12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de bobine | Non Latching |
Courant de bobine | 141mA |
Tension de bobine | 12VDC |
Formulaire de contact | SPDT (1 Form C) |
Cote de contact (actuelle) | 40A |
Tension de commutation | 16VDC - Max |
Activer la tension (max) | 8 VDC |
Couper la tension (min) | 1 VDC |
Utiliser le temps | 20ms |
Temps de libération | 20ms |
Caractéristiques | Resistor |
Type de montage | Socketable |
Style de terminaison | Plug In |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G8HE-1C7T-R-DC12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G8HE-1C7T-R-DC12-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP1S20F672I7
Intel
10M16DCF484I7G
Intel
EP3C80U484C8
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC5VSX50T-3FFG665C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FGG676
Microsemi Corporation
5SGSMD3H2F35C2N
Intel