maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / G5SBA20-E3/51
Référence fabricant | G5SBA20-E3/51 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-G5SBA20-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
G5SBA20-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G5SBA20-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G5SBA20-E3/51-FT |
GBU4J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8G-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8B-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
Intel
EP2SGX90FF1508I4
Intel