maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / G3SBA80-E3/45
Référence fabricant | G3SBA80-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-G3SBA80-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
G3SBA80-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA80-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G3SBA80-E3/45-FT |
GBU8K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4D-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8G-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel