maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / G2SB60-E3/51
Référence fabricant | G2SB60-E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-G2SB60-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
G2SB60-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 750mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G2SB60-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G2SB60-E3/51-FT |
G3SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
10AX057K3F35I2SG
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel