maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / FZT657QTA
Référence fabricant | FZT657QTA |
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Numéro de pièce future | FT-FZT657QTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZT657QTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 3W |
Fréquence - Transition | 30MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZT657QTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZT657QTA-FT |
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel