maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / FT93C56A-IDR-B
Référence fabricant | FT93C56A-IDR-B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FT93C56A-IDR-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT93C56A-IDR-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8, 128 x 16) |
Fréquence d'horloge | 2MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C56A-IDR-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT93C56A-IDR-B-FT |
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited