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Référence fabricant | FT24C256A-UDR-B |
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Numéro de pièce future | FT-FT24C256A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT24C256A-UDR-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C256A-UDR-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT24C256A-UDR-B-FT |
GD25Q32CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel