maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / FT24C16A-UNR-T
Référence fabricant | FT24C16A-UNR-T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FT24C16A-UNR-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT24C16A-UNR-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C16A-UNR-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT24C16A-UNR-T-FT |
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited