maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / FT24C16A-UDR-B
Référence fabricant | FT24C16A-UDR-B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FT24C16A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT24C16A-UDR-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C16A-UDR-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT24C16A-UDR-B-FT |
GD25Q16CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel