maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / FSB649
Référence fabricant | FSB649 |
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Numéro de pièce future | FT-FSB649 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FSB649 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SuperSOT-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FSB649 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FSB649-FT |
SMBT3904E6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817-25-TP
Micro Commercial Co
BC858CMTF
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MMBT4403-TP
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BCX41E6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR17A
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EP1C3T144I7N
Intel
XC3042-100PQ100C
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XC3S400AN-4FTG256I
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XC5VFX70T-1FF1136CES
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LFE2M20E-7FN484C
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10AX066H1F34E1SG
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10CX220YF780E6G
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