maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS900R08A2P2B32BOSA1
Référence fabricant | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS900R08A2P2B32BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
FS900R08A2P2B32BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS900R08A2P2B32BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS900R08A2P2B32BOSA1-FT |
FS100R12N2T4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS10R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS10R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
FS10R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS10R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
FS10R12YE3BOMA1
Infineon Technologies
FS150R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel