maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS75R17KE3BOSA1
Référence fabricant | FS75R17KE3BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS75R17KE3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS75R17KE3BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 130A |
Puissance - Max | 465W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS75R17KE3BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS75R17KE3BOSA1-FT |
FZ2400R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
DF1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF600R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
DF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FD1400R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD650R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
FD900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel