maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS35R12W1T4BOMA1
Référence fabricant | FS35R12W1T4BOMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS35R12W1T4BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS35R12W1T4BOMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 65A |
Puissance - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS35R12W1T4BOMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS35R12W1T4BOMA1-FT |
FP15R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel