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Référence fabricant | FS200R12KT4RB11BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FS200R12KT4RB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS200R12KT4RB11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 280A |
Puissance - Max | 1000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS200R12KT4RB11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS200R12KT4RB11BOSA1-FT |
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4BOSA1
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FS300R17OE4PBOSA1
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FS450R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel