maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS200R07N3E4RBOSA1
Référence fabricant | FS200R07N3E4RBOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS200R07N3E4RBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS200R07N3E4RBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS200R07N3E4RBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS200R07N3E4RBOSA1-FT |
F4250R17MP4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation