maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS150R12KT4B11BOSA1
Référence fabricant | FS150R12KT4B11BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS150R12KT4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS150R12KT4B11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 750W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 9.35nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R12KT4B11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS150R12KT4B11BOSA1-FT |
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
FMG1G50US60L
ON Semiconductor
FMG1G75US60H
ON Semiconductor
FMG1G75US60L
ON Semiconductor
FMG2G100US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation