maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS100R12KS4BOSA1
Référence fabricant | FS100R12KS4BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS100R12KS4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS100R12KS4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 130A |
Puissance - Max | 660W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12KS4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS100R12KS4BOSA1-FT |
FP7G100US60
ON Semiconductor
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL010S-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSED6K2F40C2N
Intel
APA600-FGG676
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation