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Référence fabricant | FR2B-TP |
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Numéro de pièce future | FT-FR2B-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FR2B-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Preliminary |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA, HSMB |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR2B-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FR2B-TP-FT |
EGL34DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10FE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10FE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10G-M3S/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel