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Référence fabricant | FR1D-TP |
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Numéro de pièce future | FT-FR1D-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FR1D-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR1D-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FR1D-TP-FT |
EGF1CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel