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ON Semiconductor FQU2N100TU

Numéro de pièce MFG
FQU2N100TU
quantité disponible
52550 Pièces
Prix de référence
USD 0.992
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FQU2N100TU Caractéristiques

Référence fabricant FQU2N100TU
Numéro de pièce future FT-FQU2N100TU
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQU2N100TU Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I-PAK
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU2N100TU Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQU2N100TU-FT

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