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ON Semiconductor FQU13N06LTU-WS

Name: FQU13N06LTU-WS
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQU13N06LTU-WS
Price: 0.88 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (345 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQU13N06LTU-WS

quantité disponible: 14340 Pièces

Prix de référence: USD 0.88

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQU13N06LTU-WS.pdf

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FQU13N06LTU-WS Caractéristiques

Référence fabricant	FQU13N06LTU-WS
Numéro de pièce future	FT-FQU13N06LTU-WS
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQU13N06LTU-WS Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I-PAK
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU13N06LTU-WS Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQU13N06LTU-WS-FT

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