maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQU10N20TU_AM002
Référence fabricant | FQU10N20TU_AM002 |
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Numéro de pièce future | FT-FQU10N20TU_AM002 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQU10N20TU_AM002 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQU10N20TU_AM002 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQU10N20TU_AM002-FT |
HUFA76429S3ST
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HUFA76432S3S
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