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ON Semiconductor FQT3P20TF-SB82100

Name: FQT3P20TF-SB82100
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQT3P20TF-SB82100
Availability: InStock
Rating: 4.8 (669 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQT3P20TF-SB82100

quantité disponible: 22180 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQT3P20TF-SB82100.pdf

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FQT3P20TF-SB82100 Caractéristiques

Référence fabricant	FQT3P20TF-SB82100
Numéro de pièce future	FT-FQT3P20TF-SB82100
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQT3P20TF-SB82100 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	670mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 335mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223-4
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT3P20TF-SB82100 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQT3P20TF-SB82100-FT

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