maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQT1N60CTF-WS
Référence fabricant | FQT1N60CTF-WS |
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Numéro de pièce future | FT-FQT1N60CTF-WS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQT1N60CTF-WS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQT1N60CTF-WS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQT1N60CTF-WS-FT |
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