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ON Semiconductor FQT13N06TF

Numéro de pièce MFG
FQT13N06TF
quantité disponible
84110 Pièces
Prix de référence
USD 0.19816
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQT13N06TF.pdf
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FQT13N06TF Caractéristiques

Référence fabricant FQT13N06TF
Numéro de pièce future FT-FQT13N06TF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQT13N06TF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223-4
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT13N06TF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQT13N06TF-FT

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