maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQPF9P25
Référence fabricant | FQPF9P25 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQPF9P25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQPF9P25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF9P25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQPF9P25-FT |
FQPF19N20
ON Semiconductor
FQPF19N20T
ON Semiconductor
FQPF1N50
ON Semiconductor
FQPF1N60
ON Semiconductor
FQPF1N60T
ON Semiconductor
FQPF1P50
ON Semiconductor
FQPF27N25T
ON Semiconductor
FQPF28N15
ON Semiconductor
FQPF28N15T
ON Semiconductor
FQPF2N30
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel