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ON Semiconductor FQPF9N25CT

Name: FQPF9N25CT
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF9N25CT
Price: 0.554928 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (412 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQPF9N25CT

quantité disponible: 67190 Pièces

Prix de référence: USD 0.554928

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQPF9N25CT.pdf

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FQPF9N25CT Caractéristiques

Référence fabricant	FQPF9N25CT
Numéro de pièce future	FT-FQPF9N25CT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQPF9N25CT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220F
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF9N25CT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQPF9N25CT-FT

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