maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQPF7P06
Référence fabricant | FQPF7P06 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQPF7P06 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQPF7P06 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410 mOhm @ 2.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 24W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF7P06 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQPF7P06-FT |
FQPF13N50C_F105
ON Semiconductor
FQPF13N50T
ON Semiconductor
FQPF14N15
ON Semiconductor
FQPF14N30
ON Semiconductor
FQPF16N15
ON Semiconductor
FQPF16N25
ON Semiconductor
FQPF17N08
ON Semiconductor
FQPF17N08L
ON Semiconductor
FQPF17N40
ON Semiconductor
FQPF17P06
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel