maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQPF2P25
Référence fabricant | FQPF2P25 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQPF2P25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQPF2P25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 32W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF2P25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQPF2P25-FT |
NTPF082N65S3F
ON Semiconductor
FDPF12N60NZ
ON Semiconductor
FQPF32N20C
ON Semiconductor
FQPF20N06
ON Semiconductor
FDPF6N60ZUT
ON Semiconductor
FQPF20N06L
ON Semiconductor
FDPF8D5N10C
ON Semiconductor
FQPF11P06
ON Semiconductor
FCPF260N60E
ON Semiconductor
FCP20N60FS
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel