maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQPF13N50
Référence fabricant | FQPF13N50 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQPF13N50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQPF13N50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 6.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 56W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF13N50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQPF13N50-FT |
FQPF8N60C
ON Semiconductor
FCPF9N60NT
ON Semiconductor
FDPF14N30
ON Semiconductor
FQPF5N90
ON Semiconductor
FCPF11N60
ON Semiconductor
FQPF10N60C
ON Semiconductor
FQPF8N80C
ON Semiconductor
FDPF085N10A
ON Semiconductor
FCPF11N60F
ON Semiconductor
FQPF13N50CF
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel