maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQP70N10
Référence fabricant | FQP70N10 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQP70N10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQP70N10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 57A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 28.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP70N10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQP70N10-FT |
FQP9N90C
ON Semiconductor
FQP10N20C
ON Semiconductor
FCP22N60N
ON Semiconductor
FDP8860
ON Semiconductor
FQP8N60C
ON Semiconductor
FDP19N40
ON Semiconductor
FQP13N50C
ON Semiconductor
FQP5N60C
ON Semiconductor
FQP12N60C
ON Semiconductor
FCP16N60
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation