maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQP4N90C
Référence fabricant | FQP4N90C |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQP4N90C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQP4N90C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP4N90C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQP4N90C-FT |
FDP20N50
ON Semiconductor
FCP11N60F
ON Semiconductor
RFP70N06
ON Semiconductor
FQP13N10L
ON Semiconductor
FQP30N06
ON Semiconductor
FDP032N08
ON Semiconductor
NDP6020P
ON Semiconductor
FDP51N25
ON Semiconductor
FQP17P06
ON Semiconductor
FQP4N80
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel