maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQP16N15
Référence fabricant | FQP16N15 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQP16N15 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQP16N15 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 108W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP16N15 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQP16N15-FT |
FDP027N08B-F102
ON Semiconductor
FDP39N20
ON Semiconductor
FCP125N65S3R0
ON Semiconductor
FDP8870
ON Semiconductor
FCP36N60N
ON Semiconductor
FDP060AN08A0
ON Semiconductor
FCP099N65S3
ON Semiconductor
FCP125N65S3
ON Semiconductor
FCP165N65S3R0
ON Semiconductor
FCP190N60E
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel