maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQP12P20
Référence fabricant | FQP12P20 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQP12P20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQP12P20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 5.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP12P20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQP12P20-FT |
NDP6020P
ON Semiconductor
FDP51N25
ON Semiconductor
FQP17P06
ON Semiconductor
FQP4N80
ON Semiconductor
FDP55N06
ON Semiconductor
FDP18N50
ON Semiconductor
FQP33N10
ON Semiconductor
FQP47P06
ON Semiconductor
FDP26N40
ON Semiconductor
FDP150N10
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel