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ON Semiconductor FQP11P06

Name: FQP11P06
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQP11P06
Price: 1.08 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (389 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQP11P06

quantité disponible: 28080 Pièces

Prix de référence: USD 1.08

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQP11P06.pdf

FQP11P06 Caractéristiques

Référence fabricant	FQP11P06
Numéro de pièce future	FT-FQP11P06
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQP11P06 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	53W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP11P06 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQP11P06-FT

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