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ON Semiconductor FQD9N25TM-F080

Name: FQD9N25TM-F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD9N25TM-F080
Price: 0.48812 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (761 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQD9N25TM-F080

quantité disponible: 40530 Pièces

Prix de référence: USD 0.48812

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQD9N25TM-F080.pdf

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FQD9N25TM-F080 Caractéristiques

Référence fabricant	FQD9N25TM-F080
Numéro de pièce future	FT-FQD9N25TM-F080
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQD9N25TM-F080 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-Pak
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD9N25TM-F080 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQD9N25TM-F080-FT

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