maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQD4N25TF
Référence fabricant | FQD4N25TF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQD4N25TF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQD4N25TF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD4N25TF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQD4N25TF-FT |
FDD6760A
ON Semiconductor
FDD6770A
ON Semiconductor
FDD6776A
ON Semiconductor
FDD6778A
ON Semiconductor
FDD6780
ON Semiconductor
FDD6780A
ON Semiconductor
FDD6782A
ON Semiconductor
FDD6796
ON Semiconductor
FDD6796A
ON Semiconductor
FDD6N20TF
ON Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel