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ON Semiconductor FQD2N80TM_WS

Numéro de pièce MFG
FQD2N80TM_WS
quantité disponible
48990 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FQD2N80TM_WS Caractéristiques

Référence fabricant FQD2N80TM_WS
Numéro de pièce future FT-FQD2N80TM_WS
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQD2N80TM_WS Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D-Pak
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD2N80TM_WS Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQD2N80TM_WS-FT

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