maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQD18N20V2TF
Référence fabricant | FQD18N20V2TF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQD18N20V2TF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQD18N20V2TF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD18N20V2TF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQD18N20V2TF-FT |
AUIRLR3110Z
Infineon Technologies
AUIRLR3114Z
Infineon Technologies
AUIRLR3410
Infineon Technologies
AUIRLR3410TR
Infineon Technologies
AUIRLR3636
Infineon Technologies
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies
AUIRLR3915
Infineon Technologies
AUIRLS3114Z
Infineon Technologies
FCD4N60TF
ON Semiconductor
FCD4N60TM_WS
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel