maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQD16N25CTM
Référence fabricant | FQD16N25CTM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQD16N25CTM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQD16N25CTM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD16N25CTM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQD16N25CTM-FT |
FDD390N15ALZ
ON Semiconductor
IRFR220NPBF
Infineon Technologies
IRLR3410PBF
Infineon Technologies
FDD86540
ON Semiconductor
FDD86367-F085
ON Semiconductor
FDD9409-F085
ON Semiconductor
FDD14AN06LA0-F085
ON Semiconductor
FDD5810-F085
ON Semiconductor
FDD86369-F085
ON Semiconductor
IRFR9024NPBF
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel