maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQD16N25CTM_F080
Référence fabricant | FQD16N25CTM_F080 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQD16N25CTM_F080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQD16N25CTM_F080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD16N25CTM_F080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQD16N25CTM_F080-FT |
AUIRLR2908
Infineon Technologies
AUIRLR3105
Infineon Technologies
AUIRLR3110Z
Infineon Technologies
AUIRLR3114Z
Infineon Technologies
AUIRLR3410
Infineon Technologies
AUIRLR3410TR
Infineon Technologies
AUIRLR3636
Infineon Technologies
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies
AUIRLR3915
Infineon Technologies
AUIRLS3114Z
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel