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ON Semiconductor FQB8N60CTM

Numéro de pièce MFG
FQB8N60CTM
quantité disponible
94670 Pièces
Prix de référence
USD 0.907512
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQB8N60CTM.pdf
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FQB8N60CTM Caractéristiques

Référence fabricant FQB8N60CTM
Numéro de pièce future FT-FQB8N60CTM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQB8N60CTM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB8N60CTM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQB8N60CTM-FT

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