maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQB3N30TM
Référence fabricant | FQB3N30TM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQB3N30TM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQB3N30TM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB3N30TM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQB3N30TM-FT |
HUF76429S3ST
ON Semiconductor
HUF76439S3ST
ON Semiconductor
HUF76639S3ST
ON Semiconductor
FCB11N60FTM
ON Semiconductor
FCB20N60F-F085
ON Semiconductor
FDB035AN06A0-F085
ON Semiconductor
FDB039N06
ON Semiconductor
FDB075N15A_SN00284
ON Semiconductor
FDB088N08_F141
ON Semiconductor
FDB10AN06A0
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel