maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQA9N50
Référence fabricant | FQA9N50 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQA9N50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQA9N50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA9N50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQA9N50-FT |
FQA30N40
ON Semiconductor
FDA24N50F
ON Semiconductor
FQA19N60
ON Semiconductor
TK62J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDA8440
ON Semiconductor
FCA47N60
ON Semiconductor
FCA47N60-F109
ON Semiconductor
FCA47N60F
ON Semiconductor
TK39J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FQA90N15
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel