maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQA24N50F_F109
Référence fabricant | FQA24N50F_F109 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQA24N50F_F109 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRFET® |
FQA24N50F_F109 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 290W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA24N50F_F109 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQA24N50F_F109-FT |
FDMS8660S
ON Semiconductor
FDMS8662
ON Semiconductor
FDMS8670
ON Semiconductor
FDMS8670AS
ON Semiconductor
FDMS8672AS
ON Semiconductor
FDMS8672S
ON Semiconductor
FDMS8674
ON Semiconductor
FDMS8690
ON Semiconductor
FDMS8692
ON Semiconductor
FDMS8848NZ
ON Semiconductor
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel